[实用新型]半极性氮化镓外延层结构以及发光二极管有效
| 申请号： | 201822164722.7 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209859968U | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 曾颀尧;邢琨;纪秉夆;汪琼;冷鑫钰;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半极性氮化镓外延层结构以及发光二极管，通过第一层氮化硅与第二层氮化硅的双层氮化硅插入到第一层氮化镓、第二层氮化镓与第三层氮化镓之间，可以大幅提升半极性面氮化镓的晶体质量，解决第一层氮化镓中存在的一些晶格缺陷，比如位错和层错等问题。在多个微孔中继续插入第二层氮化硅，可以使得第三层氮化镓的晶格缺陷大幅降低，进而使得半极性氮化镓外延层结构的晶体质量大幅提高。半极性氮化镓外延层结构通过第一层氮化硅与第二层氮化硅的双层氮化硅结构可以有效的阻挡位错等缺陷穿透至半极性氮化镓外延层结构的以外结构上，有效的提高了晶体质量，从而提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 氮化硅 氮化镓外延层 半极性 第一层 发光二极管 双层氮化硅 晶格缺陷 第三层 位错 半极性面 发光效率 微孔 穿透 阻挡 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，包括：/n衬底(10)；/n缓冲层(20)，设置于所述衬底(10)；/n第一层氮化镓(30)，设置于远离所述衬底(10)的所述缓冲层(20)的缓冲层表面(210)；/n第一层氮化硅(40)，具有多个间隔设置的第一氮化硅微结构(410)，且多个所述第一氮化硅微结构(410)设置于远离所述缓冲层(20)的所述第一层氮化镓(30)的第一层氮化镓表面(310)，且相邻的所述第一氮化硅微结构(410)之间设置有微孔(420)；/n第二层氮化镓(50)，具有多个间隔设置的第二氮化镓微结构(510)，每个所述第二氮化镓微结构(510)设置于所述微孔(420)；/n第二层氮化硅(60)，具有多个间隔设置的第二氮化硅微结构(610)，且多个所述第二氮化硅微结构(610)设置于远离所述第一氮化硅微结构(410)的所述第二氮化镓微结构(510)的第二氮化镓微结构表面(511)；/n第三层氮化镓(70)，设置于远离所述第一层氮化镓(30)的所述第一氮化硅微结构(410)的第一氮化硅微结构表面(411)，且所述第三层氮化镓(70)设置于远离第二氮化镓微结构(510)的所述第二氮化硅微结构(610)的第二氮化硅微结构表面(611)。/n
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