[发明专利]高频用晶体管有效
申请号: | 201880013005.4 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN110326091B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 山本兴辉;上谷昌稔;松田慎吾;杉山宽;本吉要;中山雅央 | 申请(专利权)人: | 新唐科技日本株式会社 |
主分类号: | H01L21/338 | 分类号: | H01L21/338;H01L29/06;H01L29/812 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吕文卓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 高频用晶体管具有源极电极(3)、漏极电极(2)、栅极电极(1)、以及向栅极电极(1)施加电压的栅极驱动布线(12),在栅极电极(1)与栅极驱动布线(12)之间连接有阻抗调整电路(4),从阻抗调整电路(4)来看与栅极电极(1)的连接点时的栅极电极(1)的特性阻抗为Z1,从阻抗调整电路(4)来看与栅极驱动布线(12)的连接点时的栅极驱动布线(12)的特性阻抗为Z2,阻抗调整电路(4)的特性阻抗X为Z1与Z2之间的值。 | ||
搜索关键词: | 高频 晶体管 | ||
【主权项】:
1.一种高频用晶体管,其特征在于,具备:半导体基板;源极电极,形成在所述半导体基板上;漏极电极,形成在所述半导体基板上;栅极电极,形成在所述半导体基板上;栅极驱动布线,用于向所述栅极电极施加电压;以及阻抗调整电路,连接在所述栅极电极与所述栅极驱动布线之间,从所述阻抗调整电路来看与所述栅极电极的连接点时的所述栅极电极的特性阻抗为Z1,从所述阻抗调整电路来看与所述栅极驱动布线的连接点时的所述栅极驱动布线的特性阻抗为Z2,所述阻抗调整电路的特性阻抗X具有Z1与Z2之间的值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技日本株式会社,未经新唐科技日本株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880013005.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造