[发明专利]电化学制造锗烷的方法在审
申请号: | 201880031311.0 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN110621810A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 铃木淳 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C25B1/00 | 分类号: | C25B1/00;C25B11/08 |
代理公司: | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 刘航;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种电化学制造锗烷的方法,在具有隔膜、阳极和包含银的阴极的电化学单元中,向包含锗化合物的电解液通电,在阴极使锗烷产生。 | ||
搜索关键词: | 阴极 锗烷 电化学单元 电化学制造 阳极 锗化合物 电解液 隔膜 通电 | ||
【主权项】:
1.一种电化学制造锗烷的方法,在具有隔膜、阳极和包含银的阴极的电化学单元中,向包含锗化合物的电解液通电,在阴极使锗烷产生。/n
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