[发明专利]半导体装置

摘要

在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

主权项

1.一种半导体装置，具有活性区域(1)及包围该活性区域的非活性区域(2)，在上述活性区域形成有横型的开关器件，其特征在于，/n上述活性区域具有开关器件，该开关器件具备：/n沟道形成层，形成于基板(11)上，具有包括第一半导体层(12)及第二半导体层(13)的异质结构造，在上述第二半导体层中形成有凹槽部(15)，上述第一半导体层由构成漂移区域的第一GaN类半导体构成，上述第二半导体层由与上述第一GaN类半导体相比带隙能更大的第二GaN类半导体构成；/n栅极构造部，具有形成于上述凹槽部内的栅极绝缘膜(16)、以及形成于该栅极绝缘膜之上的成为MOS构造的栅极电极的MOS栅极电极(17)；/n源极电极(18)及漏极电极(19)，在上述第二半导体层之上配置于夹着上述栅极构造部的两侧；/n第三半导体层(14)，在上述第二半导体层之上，配置于上述栅极构造部与上述漏极电极之间的从上述漏极电极离开了的位置，由未掺加杂质的第三GaN类半导体构成；/n第四半导体层(20)，形成在上述第三半导体层之上，由p型的第四GaN类半导体构成；以及/n结栅电极(21)，与上述第四半导体层接触，/n上述结栅电极，与上述源极电极电连接而成为与该源极电极相同的电位，并且仅配置于上述活性区域内。/n