[发明专利]高密度像素化的LED芯片和芯片阵列装置及制造方法在审
申请号: | 201880056710.2 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN111052387A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 彼得·安德鲁斯 | 申请(专利权)人: | 克利公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/54 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了像素化的LED芯片和相关方法。像素化的LED芯片包括有源层,该有源层具有布置在透光基板上或上方的能够独立电接入的有源层部分。该有源层部分被配置为照射不同的透光基板部分以形成像素。各种增强可有利地提供增加的对比度(即,减少的像素之间的串扰)和/或促进像素间照明均匀性,而不过度限制光利用效率。在一些方面,每一个基板部分的光提取表面包括突出特征部和光提取表面凹部。不同像素之间的侧向边界与选定的光提取表面凹部对准。在一些方面,选定的光提取表面凹部延伸穿过基板的整个厚度。可以另外地或替代地实现其他技术益处。 | ||
搜索关键词: | 高密度 像素 led 芯片 阵列 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的