[其他]瞬态电压抑制元件有效
申请号: | 201890000306.9 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN209766397U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 植木纪行 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李慧;王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供瞬态电压抑制元件。瞬态电压抑制元件具备瞬态电压抑制电路,该瞬态电压抑制电路是利用布线部将多个瞬态电压抑制电路部连接而构成的。多个瞬态电压抑制电路部由多个第1瞬态电压抑制电路部和多个第2瞬态电压抑制电路部构成,该多个第1瞬态电压抑制电路部分别具有齐纳二极管与第1二极管的串联连接电路,该多个第2瞬态电压抑制电路部分别具有第2二极管。而且,第1瞬态电压抑制电路部与第2瞬态电压抑制电路部按照相互插补的关系被分散配置。另外,第1瞬态电压抑制电路部的至少一部分对称配置,第2瞬态电压抑制电路部的至少一部分对称配置。 | ||
搜索关键词: | 瞬态电压抑制电路 瞬态电压抑制 二极管 对称配置 串联连接电路 本实用新型 齐纳二极管 分散配置 布线 插补 | ||
【主权项】:
1.一种瞬态电压抑制元件,其具有半导体基板,该半导体基板形成有瞬态电压抑制电路部、布线部以及外部连接端子,通过所述瞬态电压抑制电路部和所述布线部而构成瞬态电压抑制电路,其中,/n所述外部连接端子为沿着所述半导体基板的主面配置的3个以上的端子,/n所述瞬态电压抑制电路部具有多个第1瞬态电压抑制电路部和多个第2瞬态电压抑制电路部,该多个第1瞬态电压抑制电路部分别具有齐纳二极管与第1二极管的串联连接电路,该多个第2瞬态电压抑制电路部分别具有第2二极管,/n在从与所述半导体基板的主面垂直的方向俯视时,所述多个第1瞬态电压抑制电路部和所述多个第2瞬态电压抑制电路部配置为,所述多个第1瞬态电压抑制电路部夹着所述多个第2瞬态电压抑制电路部中的至少一个所述第2瞬态电压抑制电路部,且所述多个第2瞬态电压抑制电路部夹着所述多个第1瞬态电压抑制电路部中的至少一个所述第1瞬态电压抑制电路部,/n在从与所述半导体基板的主面垂直的方向俯视时,所述多个第1瞬态电压抑制电路部的至少一部分对称配置,所述多个第2瞬态电压抑制电路部的至少一部分对称配置。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造