[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910104443.8 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110416154A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴仲强;曹学文;李家庆;洪正隆;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包括形成一开口于一介电层内。沉积一种子层于开口内，种子层的第一部分具有第一杂质浓度。将种子层的第一部分暴露于一等离子体，在暴露于等离子体之后，该第一部分具有小于第一杂质浓度的第二杂质浓度。将一导电材料填入开口，以形成导电特征部件。种子层包括钨，且导电材料包括钨，杂质包括硼。 | ||
| 搜索关键词： | 种子层 等离子体 半导体装置 开口 导电材料 导电特征部件 暴露 沉积 电层 填入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一介电层内形成一开口；在该开口内沉积一种子层，其中该种子层的多个第一部分具有一第一杂质浓度；将该种子层的所述多个第一部分暴露于一等离子体，其中在暴露于该等离子体之后，所述多个第一部分具有一第二杂质浓度，所述第二杂质浓度小于该第一杂质浓度；以及将一导电材料填入该开口而形成一导电特征部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
