[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910147701.0 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110491878B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 丸山贵之;福住嘉晃;杉浦裕树;荒井伸也;菊岛史惠;须田圭介;石田贵士 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置具备：多个电极层，积层在第1半导体层上方；第2半导体层，贯穿所述多个电极层，在这些电极层的积层方向上延伸，在所述第1半导体层中具有端部；以及第1膜，位于所述第1半导体层中，与所述第1半导体层接触。所述第1半导体层包含第1部分、第2部分及第3部分，所述第1膜位于所述第1部分与所述第2部分之间，所述第3部分位于所述第1膜与所述第2半导体层之间，将所述第1部分与所述第2部分连接。所述第2半导体层包含与所述第1半导体层的所述第3部分接触的接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：/n多个电极层，积层在第1半导体层上方；/n第2半导体层，贯穿所述多个电极层，在这些电极层的积层方向上延伸，在所述第1半导体层中具有端部；以及/n第1膜，位于所述第1半导体层中，与所述第1半导体层接触；且/n所述第1半导体层包含第1部分、第2部分及第3部分，所述第1膜位于所述第1部分与所述第2部分之间，所述第3部分位于所述第1膜与所述第2半导体层之间，将所述第1部分与所述第2部分连接；/n所述第2半导体层包含与所述第1半导体层的所述第3部分接触的接触部。/n
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