[发明专利]离子植入工艺及设备在审
| 申请号： | 201910160534.3 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN110010433A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | O·比尔;J·D·斯威尼 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317;H01J27/16;H01J27/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及离子植入工艺及设备。本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源腔室 掺杂剂源 掺杂剂 离子植入工艺 离子源设备 消耗 反应性气体 材料形成 气态形式 气体馈送 内部层 蒸气压 导管 物种 关联 释放 | ||
【主权项】：
1.一种在利用锑、铟或镓前驱物的处理系统中原位生成所述前驱物的方法，所述方法包括在所述处理系统中为所述前驱物提供锑、铟或镓反应物，及使所述前驱物的气态共反应物流动以与所述锑、铟或镓反应物接触以在所述处理系统中原位形成所述前驱物，其中所述锑、铟或镓反应物含于所述处理系统中的反应器中。
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