[发明专利]磁存储装置在审

专利信息
申请号: 201910176190.5 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN110880343A 公开(公告)日: 2020-03-13
发明(设计)人: 岩崎刚之;村山昭之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;大岭俊平;五十岚太一;伊藤顺一 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C11/15 分类号: G11C11/15;H01L21/00;H01L43/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件,所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体,且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻,根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。
搜索关键词: 存储 装置
【主权项】:
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