[发明专利]气体分配装置和包括该气体分配装置的衬底处理设备在审
| 申请号： | 201910225551.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110299309A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李宪福;金大容;金东佑;朴俊起;李相烨;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪洋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 入口管 气体分配装置 衬底处理设备 分散空间 分散容器 喷淋头结构 气体入口部 衬底卡盘 流体连通 入口路径 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理设备，包括：衬底卡盘；喷淋头结构，该喷淋头结构位于所述衬底卡盘上方；以及气体分配装置，该气体分配装置连接至该喷淋头结构，其中气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，该分散容器包括第一分散空间，其中，所述气体入口部包括第一入口管和第二入口管，所述第一入口管包括流体连通到所述第一分散空间的第一入口路径，所述第二入口管包括流体连通到所述第一分散空间的第二入口路径；并且其中第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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