[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法在审
| 申请号： | 201910386973.6 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110468455A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;今西正幸;冈本贵敏 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 葛凡<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种结晶中的氧杂质少的III族氮化物结晶的制造方法。本发明的III族氮化物结晶的制造方法是使用容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板(11)的坩埚；容纳坩埚的反应容器；容纳反应容器(15)的压力容器；将含氮元素气体和/或氩气导入至压力容器的气体供给管；将压力容器密封的盖；将反应容器加热的加热器；用于将加热器和反应容器绝缘的绝缘材料；防止反应容器内的热泄露的绝热材料来制造III族氮化物结晶的方法，具有以下工序：将盖与所述压力容器分离，将反应容器容纳于压力容器内，用盖将压力容器密封后，将氩气填充于压力容器内的工序；将氩气加热并保持的工序；将经加热的氩气从压力容器排出的工序；和将含氮元素气体导入压力容器内，使碱金属与含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 压力容器 氩气 容纳 加热 碱金属 加热器 含氮元素 基板 坩埚 密封 制造 气体供给管 绝热材料 绝缘材料 氧杂质 绝缘 排出 填充 泄露 生长 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，其是使用以下设施来制造III族氮化物结晶的方法，/n所述设施包括：/n容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板的坩埚，/n容纳所述坩埚的反应容器，/n容纳所述反应容器的压力容器，/n将含氮元素气体和/或氩气导入至所述压力容器的气体供给管，/n将所述压力容器密封的盖，/n将所述反应容器加热的加热器，/n用于将所述加热器和所述反应容器绝缘的绝缘材料，和/n防止所述反应容器内的热泄露的绝热材料，/nIII族氮化物结晶的制造方法具有以下工序：/n将所述盖与所述压力容器分离，将所述反应容器容纳于所述压力容器内，用所述盖将所述压力容器密封后，将氩气填充于所述压力容器内的工序；/n将所述氩气加热并保持的工序；/n将所述经加热的氩气从所述压力容器排出的工序；和/n将所述含氮元素气体导入所述压力容器内，使所述碱金属与所述含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在所述种基板上生长的工序。/n
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