[发明专利]一种柔性光电探测器件的制备方法及柔性光电探测器件有效
申请号: | 201910462631.8 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN111509073B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 辛巍;王野;邹婷婷;杨建军;郭春雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供的柔性光电探测器件的制备方法,通过飞秒激光对柔性透明基底的下表面进行微纳结构化加工,实现对其上表面的近场光学相干增强效应;然后在此上表面沉积钙钛矿薄膜,再在沉积有钙钛矿薄膜的表面蒸镀电极获取柔性光电探测器件,本发明提供的柔性光电探测器件的制备方法,在未经飞秒激光加工的光滑表面上沉积制备钙钛矿薄膜,使光散射界面与钙钛矿薄膜材料界面分离,这样既能使得基底材料实现近场光学增强、提高光活性层的光吸收和量子效率,又能保证光活性层的致密性和完整性,减少材料缺陷对器件性能的不利影响,工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 光电 探测 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的