[发明专利]太阳能电池的制备方法和太阳能电池在审
申请号: | 201910499762.3 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN112151640A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 孙红霞;胡超;潘世荣 | 申请(专利权)人: | 贵州米亚索乐装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0749 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 550000 贵州省贵阳市贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池制备技术领域,提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池,其中太阳能电池的制备方法,包括:提供一衬底基板;在衬底基板上形成第一钼层;在第一钼层上形成钼钠层,其中在形成钼钠层时通入目标流量的氧气以形成钼的氧化物;在钼钠层上形成第二钼层;在第二钼层上形成光吸收层。本发明提供的太阳能电池的制备方法和太阳能电池,通过在形成钼钠层的同时通入目标流量的氧气,可以使得钼钠层与氧气发生反应生成钼的氧化物,钼的氧化物可以减少钠在第二钼层与光吸收层交界面处的堆积量,进而降低了Na扩散至光吸收层的浓度,提高太阳能电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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