[发明专利]全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法在审
| 申请号： | 201910594755.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110398293A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 汪韬;高贵龙;何凯;闫欣;田进寿;李少辉;尹飞;辛丽伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 董娜 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法，解决现有超快诊断设备无法同时具备高时间分辨率、高空间分辨率性能，以及现有电子光学电真空超快诊断设备诊断效果差的问题。其中芯片包括沿入射信号光传输方向依次设置的调制光栅、光学膜系、半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构、第一增透膜、基片及第二增透膜，信号光入射调制光栅，探针光入射第二增透膜；所述光学膜系对信号光进行增透、对探针光进行增反；所述半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构用于探测信号光，并经调制光栅调制，在半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构内部形成与信号光相对应的空间分布图样；所述第一增透膜和第二增透膜对探针光进行增透。 | ||
| 搜索关键词： | 增透膜 全光 多量子阱结构 超快响应 探针光 信号光 调制 半导体 光栅 超快探测 诊断设备 芯片 光学膜 探测器 入射 增透 探测 高空间分辨率 高时间分辨率 入射信号光 传输方向 电子光学 光栅调制 空间分布 探测信号 依次设置 电真空 图样 诊断 | ||
【主权项】：
1.一种全光固体超快探测芯片，其特征在于：包括沿入射信号光(8)传输方向依次设置的调制光栅(1)、光学膜系(2)、半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构(3)、第一增透膜(5)、基片(6)及第二增透膜(7)；信号光(8)入射调制光栅(1)，探针光(9)入射第二增透膜(7)，所述光学膜系(2)对信号光(8)进行增透、对探针光(9)进行增反；所述半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构(3)用于探测信号光，并经调制光栅(1)调制，在半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构(3)内部形成与信号光(8)相对应的空间分布图样；所述第一增透膜(5)和第二增透膜(7)对探针光进行增透。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所，未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910594755.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
