[发明专利]集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法在审
申请号: | 201910610025.6 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN112001135A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 黄思颖;余美俪;罗幼岚;高淑怡 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/33 | 分类号: | G06F30/33 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法。一种集成电路设计方法包含:(a)接收至少一第一筛选参数;(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元(cell)延迟量信息,该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量;以及(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。 | ||
搜索关键词: | 集成电路设计 数据库 产生 方法 以及 | ||
【主权项】:
暂无信息
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