[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

一种存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括：擦除区和浮栅区，所述浮栅区与擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于擦除区两侧，所述基底上还具有第二鳍部，且在垂直于第一鳍部的延伸方向上，所述第二鳍部分别位于擦除区的两侧，所述擦除区和第二鳍部表面具有牺牲层；在所述基底上形成横跨所述浮栅区的浮栅极结构，且所述浮栅极结构表面低于牺牲层顶部表面；去除所述牺牲层，在所述浮栅极结构和第一侧墙内形成开口，所述开口底部暴露出擦除区表面和第二鳍部表面；在所述开口内形成擦除栅极结构，且所述擦除栅极结构表面齐平于第一侧墙顶部表面。所述方法形成的存储器的性能较好。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括：擦除区和浮栅区，所述浮栅区与擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于擦除区两侧，所述基底上还具有第二鳍部，且在垂直于第一鳍部的延伸方向上，所述第二鳍部分别位于擦除区的两侧，所述擦除区和第二鳍部表面具有牺牲层；在所述基底上形成横跨所述浮栅区的浮栅极结构，且所述浮栅极结构表面低于牺牲层顶部表面；在所述基底上形成位于所述浮栅极结构顶部表面和侧壁表面的第一侧墙膜，且所述第一侧墙膜顶部表面齐平于牺牲层顶部表面；去除所述牺牲层，在所述浮栅极结构和第一侧墙膜内形成开口，所述开口底部暴露出擦除区表面和第二鳍部表面；在所述开口内形成擦除栅极结构，且所述擦除栅极结构表面齐平于第一侧墙顶部表面。