[发明专利]一种预防闪存数据读取错误的方法在审
| 申请号： | 201910728685.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110534152A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 樊凌雁;杨正洁;刘海銮 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/34;G11C16/26 |
| 代理公司： | 33233 浙江永鼎律师事务所 | 代理人： | 陆永强<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了预防闪存数据读取错误的方法，包括以下步骤：S20，对每个闪存块读操作次数进行计数；S21，对每个闪存块的擦除次数进行计数；S22，对每个闪存块写操作次数进行计数；S23，对每个闪存块数据保存时间进行计时；S24，建立读操作、写操作、擦除次数和数据保存时间与对实际阈值电压干扰的关联表；S25，根据关联表查找对应NAND闪存芯片的实际阈值电压；S26，通过NAND闪存芯片的设置功能调节阈值电压至查找到的实际阈值电压；S27，进行读操作。本发明将闪存芯片读错误由事后补救转变为提前预防，减少出错数目，且不影响读取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值电压 闪存块 读操作 数据保存 关联表 写操作 擦除 读取 读取效率 功能调节 闪存数据 闪存芯片 预防 补救 出错 计时 查找 | ||
【主权项】：
1.一种预防闪存数据读取错误的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS20，对每个闪存块读操作次数进行计数；/nS21，对每个闪存块擦除次数进行计数；/nS22，对每个闪存块写操作次数进行计数；/nS23，对每个闪存块数据保存时间进行计时；/nS24，建立读操作、写操作、擦除次数和数据保存时间与对实际阈值电压干扰的关联表；/nS25，根据关联表查找对应NAND闪存芯片的实际阈值电压；/nS26，通过NAND闪存芯片的设置功能调节阈值电压至查找到的实际阈值电压；/nS27，进行读操作。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910728685.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种检测随机存储器故障的方法、装置和网络处理器-201510437309.1
- 潘静;安康;石金锋;许建文 - 深圳市中兴微电子技术有限公司
- 2015-07-23 - 2020-02-07 - G11C29/42
- 本发明实施例公开了一种检测随机存储器故障的方法，包括：获取数据报文；对所述数据报文进行错误检查和纠正(ECC)校验，将所述数据报文写入随机存储器；从所述随机存储器中读取所述数据报文，对读取出的数据报文进行ECC校验；通过比较所述数据报文在写入所述随机存储器前的ECC校验结果和所述读取出的数据报文的ECC校验结果，确定所述随机存储器的故障检测结果。本发明实施例还公开了一种检测随机存储器故障的装置和网络处理器。
- 存储器单粒子多位翻转容错方法及电路-201510386190.X
- 杨海钢;李天文;蔡刚 - 中国科学院电子学研究所
- 2015-06-30 - 2020-01-21 - G11C29/42
- 本发明公开了一种存储器单粒子多位翻转容错方法及电路，包括：向存储器写入数据时，将输入数据A<15:0>进行编码，生成校验位P<5:0>，并将校验位P<5:0>及对应的输入数据A<15:0>输入到存储器；从存储器读出数据时，分别读出与输入数据A<15:0>对应的存储数据A'<15:0>及与校验位P<5:0>对应的检验位P'<5:0>，并进行解码，生成纠错码S<5:0>，根据纠错码S<5:0>对存储数据A'<15:0>进行纠错，得到最终数据D<15:0>。本发明能对任意相邻两位错误数据纠正，与传统的扩展汉明码相比，在不增加校验位的条件下，将存储器抗单粒子翻转能力提高近一倍。
- 半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法-201910191825.9
- 车相彦;金贤起;辛薰;柳睿信;全仁雨 - 三星电子株式会社
- 2019-03-14 - 2019-12-10 - G11C29/42
- 提供了半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路、擦洗控制电路和控制逻辑电路。刷新控制电路响应于从存储控制器接收到的第一命令，生成用于刷新存储单元行上的存储区域的刷新行地址。擦洗控制电路对刷新行地址进行计数，并且每当擦洗控制电路计数了刷新行地址中的N个刷新行地址时，生成用于对存储单元行中的第一存储单元行执行擦洗操作的擦洗地址。ECC引擎从第一存储单元行中的至少一个子页面中读取对应于第一码字的第一数据，校正第一码字中的至少一个错误位，并将校正后的第一码字写回对应的存储位置中。
- 一种预防闪存数据读取错误的方法-201910728685.4
- 樊凌雁;杨正洁;刘海銮 - 杭州电子科技大学
- 2019-08-08 - 2019-12-03 - G11C29/42
- 本发明公开了预防闪存数据读取错误的方法，包括以下步骤：S20，对每个闪存块读操作次数进行计数；S21，对每个闪存块的擦除次数进行计数；S22，对每个闪存块写操作次数进行计数；S23，对每个闪存块数据保存时间进行计时；S24，建立读操作、写操作、擦除次数和数据保存时间与对实际阈值电压干扰的关联表；S25，根据关联表查找对应NAND闪存芯片的实际阈值电压；S26，通过NAND闪存芯片的设置功能调节阈值电压至查找到的实际阈值电压；S27，进行读操作。本发明将闪存芯片读错误由事后补救转变为提前预防，减少出错数目，且不影响读取效率。
- 一种面向纠删码的主动数据修复方法及系统-201811300732.7
- 杨雅辉;杨洪章 - 北京大学
- 2018-11-02 - 2019-12-03 - G11C29/42
- 本发明公开一种面向纠删码的主动数据修复方法及系统。本方法包括：定期采集各设定硬盘的信息并对其进行特征提取、标记，得到一训练数据集；利用训练数据集训练得到一硬盘故障程度识别模型；采集纠删码系统中各硬盘的信息并进行特征提取，然后将其输入到硬盘故障程度识别模型，得到各硬盘对应的故障程度；若硬盘A的故障程度高于该故障阈值x，则对该硬盘A启动主动修复：遍历该硬盘A中的所有数据块，读取其所属条带的硬盘编号，将这些硬盘编号对应的硬盘作为参与共同修复的硬盘，称为B盘组；将集合T中所有的数据块由该硬盘A修复到一故障程度最低的硬盘C，通过编解码计算的方法将集合R中所有数据块由B盘组修复到该硬盘C。
- 一种动态NandFlash危险块筛选的方法-201910794154.5
- 张明;魏智汎;王展南;曾瑞华 - 江苏华存电子科技有限公司
- 2019-08-27 - 2019-11-29 - G11C29/42
- 本发明公开了一种动态NandFlash危险块筛选的方法，将在默认电压下出现ECC Fail的块中的页使用所有的可读取电压，并看是否有电压能将页的Error Bit降到阈值以下，若使用所有可读取电压读出的Error Bit都大于阈值T，则将这个块标记为危险块，若有一个读取电压读出的Error Bit不大于阈值T，则认为这个块是正常的，该发明可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块，用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。
- 一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法-201910751725.7
- 刘凯;王璞 - 山东华芯半导体有限公司
- 2019-08-15 - 2019-11-19 - G11C29/42
- 本发明公开一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法，本方法充分考虑NAND Flash特性，利用偏移读取的方法，通过在线扫描NAND Flash参考电压，在不影响数据内容的前提下，提升了数据的稳定性。本方法考虑到在线校准对SSD性能的影响，设置偏移读取的次数，在读取次数达到设置值仍存在校验错误时，将该block数据搬移到新的block。
- 专利分类
