[发明专利]原子层沉积设备有效
申请号: | 201910813222.8 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN111424261B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 李相烨;延国贤;池正根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种原子层沉积(ALD)设备,所述ALD设备包括:第一工艺室,被构造为供应第一源气体并诱导第一材料膜的吸附。第二工艺室被构造为供应第二源气体并诱导第二材料膜的吸附。第三工艺室被构造为供应第三源气体并诱导第三材料膜的吸附。表面处理室被构造为对第一材料膜至第三材料膜中的每个执行表面处理工艺并去除反应副产物。热处理室被构造为对在其上以预定顺序吸附有第一材料膜至第三材料膜的基底执行热处理工艺并且使第一材料膜至第三材料膜转换为单一化合物薄膜。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的