[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910886047.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110943125B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 佐藤克己 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/423 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置,常关的第一栅极沟道区域(56)在第一主面侧,设置于p基极(42)中的n基极(41)和与发射极电极(50)连接的n发射极(43)之间的区域。第一栅极沟道区域(56)通过第一栅极电极(48)的电压对通断进行控制。在第二主面侧,通过与集电极电极(51)电连接的n集电极(52)、n基极(41)之间的n型区域而设置常开的第二栅极沟道区域(53)。第二栅极沟道区域(53)通过第二栅极电极(54)的电压对通断进行控制。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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