[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910892512.6 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111009491A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 崔炳德;金长燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法可包括：在衬底上形成包括模制层、缓冲层和支承层的模制结构；对模制结构执行各向异性蚀刻处理，以在模制结构中形成多个通孔；以及在通孔中形成多个底电极。缓冲层的氮含量在从模制层接近支承层的方向上增大。缓冲层的氧含量在从支承层接近模制层的方向上增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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