[发明专利]全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法在审

申请号：	201910906932.5	申请日：	2019-09-24
公开（公告）号：	CN110611004A	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	杨斌;李俊驰	申请（专利权）人：	湖南大学
主分类号：	H01L31/032	分类号：	H01L31/032;H01L31/115;H01L31/18
代理公司：	11613 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	齐胜杰
地址：	410000 湖***	国省代码：	湖南;43
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器，其包括钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧相对设置的电极，所述钙钛矿单晶的分子式为Cs
搜索关键词：	钙钛矿单晶无机卤素载流子迁移率钙钛矿薄膜载流子寿命相对设置制备过程电极多晶
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器，其包括钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧相对设置的电极，其特征在于：所述钙钛矿单晶的分子式为Cs

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910906932.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：一种n型AlGaN半导体材料及其外延制备方法
下一篇：一种ZrS

同类专利

涂布液、太阳能电池用光吸收层及太阳能电池、及它们的制造方法-201510511537.9
发明人：饭田启之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明提供可以在大型基板上形成均匀的膜厚及良好的膜质的涂布膜的涂布液及其制造方法。本发明的涂布液是太阳能电池的光吸收层的形成中所用的涂布液，将选自第11族金属、第12族金属、第13族金属、第14族金属、第15族元素、第11族金属化合物、第12族金属化合物、第13族金属化合物、第14族金属化合物及含有第15族元素的化合物中的至少1种的单体或化合物在水的存在下溶解于溶媒中而得到反应液，向所述反应液中添加3质量％以上的选自烷撑二醇烷基醚、烷撑二醇烷基醚乙酸酯及烷撑二醇二乙酸酯中的至少1种的添加剂而成。

一种金-硫化铅核壳纳米棒光探测器及其制备方法-201910911738.6
发明人：赵新宏;常新月;段永胜;李凯;方永初 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明提供一种金‑硫化铅核壳纳米棒光探测器及其的制备方法，通过三步阳离子置换法制备了结晶度良好的金硫化铅核壳纳米棒Au‑PbS NRs，壳层的生长过程可分为三步，第一步在金纳米棒周围生长一层银；第二步通过硫化反应生成硫化银；第三步通过阳离子交换反应制备了硫化铅壳层。然后，运用液相旋涂技术制备了基于场效应光电晶体管的Au‑PbS NRs光探测器。本发明通过金纳米棒与硫化铅半导体的这种结合方式来增强器件性能，更为稳定、易于操作、可大范围使用。这种特殊制备的光探测器不仅量子效率、响应度、探测率等探测性能有数倍的提高，同时实现了在近红外波段探测性能的提升，方法具有简单易操作，快速，成本低廉、可大面积生产等特点。

α相GeTe宽光谱红外探测器及其制备方法-201911011259.5
发明人：唐利斌;赵逸群;杨盛谊;彭廷海;舒恂 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/032
摘要：α相GeTe宽光谱红外探测器及其制备方法，属于光电子技术领域，尤其是一种薄膜宽光谱红外探测器。本发明α相GeTe宽光谱红外光电探测器，从下往上分别是基底、α相GeTe光敏层和金属电极层，制备过程包括基底清洗、α相GeTe薄膜溅射、GeTe退火、电极蒸镀过程。本发明具有工艺简单，成本低，响应度高，探测率高等优点，且可以在室温下工作，在红外探测领域具有重要的应用前景。同时，GeTe作为相变材料，已成为下一代存储和计算的关键材料。

基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器及其制备方法-201911011670.2
发明人：唐利斌;张玉平;邢一山;赵鹏;舒恂 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L31/032
摘要：基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器及其制备方法，涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于拓扑绝缘体材料Sb

一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用-201810568149.8
发明人：张险峰;张成;陈庆武 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种银铟镓硒薄膜，包括衬底，衬底的表面上依次涂覆有Ag

一种基于醇类溶剂的硫化锑薄膜制备方法及其在太阳电池中的应用-201910816652.5
发明人：林显忠;杨文韬;葛思洁 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种基于醇类溶剂的硫化锑薄膜制备方法及其在太阳电池中的应用。通过将SbCl

全无机钙钛矿铁电纤维复合结构的太阳能电池及制备方法-201810817163.7
发明人：唐路;刘娟;唐旭升;余旭涛;王增梅 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种全无机钙钛矿铁电纤维复合结构的太阳能电池及制备方法，该太阳能电池包括基片玻璃、导电层、空穴传输层、全无机钙钛矿吸光层、钙钛矿结构铁电纤维阵列层、电子传输层和电极层；其中，全无机钙钛矿吸光层为CsPbBr

一种双钙钛矿柔性铁电薄膜及其制备方法-201811098077.1
发明人：李雍;崔霞霞;郝喜红;孙宁宁;杜金华;李晓伟;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种双钙钛矿柔性铁电薄膜及其制备方法，属于电子功能材料与器件技术领域，该铁电薄膜化学通式为Bi

一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用-201810184412.3
发明人：程树英;余雪;赖云锋;武四新;严琼;周海芳 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。本发明通过在CZTSSe薄膜中掺杂In以替代部分Sn原子，改善了薄膜体相缺陷，提高了载流子浓度，使由其制备的太阳电池的短路电流密度、开路电压、填充因子、光电转换效率明显提高，因此在太阳电池方面有较好的应用价值。

全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法-201910906932.5
发明人：杨斌;李俊驰 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明涉及一种全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器，其包括钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧相对设置的电极，所述钙钛矿单晶的分子式为Cs

一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法-201810804323.4
发明人：于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;苑青;董斌 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明涉及一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。该器件为多层结构，自下而上依次为p型Si衬底、SiO

基于镧系稀土离子掺杂CsPbBr-201810667288.6
发明人：唐群委;段加龙;赵媛媛 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明提供了一种基于镧系稀土离子掺杂CsPbBr

一种分层电沉积后硒化退火制备铜铟铝硒太阳能电池薄膜材料的方法-201810198125.8
发明人：杨穗;时亚广;易捷;田心怡;钟建新 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种分层电沉积后硒化退火制备铜铟铝硒太阳能电池薄膜材料的方法。为克服水溶液中电沉积铝导致的析氢现象，本发明先采用熔融盐电沉积法沉积铝薄膜，然后将铜金属盐溶解于去离子水，在镀铝的薄膜上电沉积铜，再将铟金属盐溶解于去离子水，在镀铝/铜的薄膜上电沉积铟，再将前驱体薄膜硒化退火获得铜铟铝硒薄膜。通过分层控制各层薄膜的沉积电流密度和时间实现了对薄膜成分、晶体结构、形貌等的可控制备。与一步水溶液中电沉积方法比较，本发明所制备的薄膜纯度高，没有Cu

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法在审

专利文献下载