[发明专利]一种异步SRAM控制器及调试方法在审

专利信息
申请号: 201910963542.1 申请日: 2019-10-11
公开(公告)号: CN110729008A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 董利;桂江华;赵达 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C7/12;G11C7/22
代理公司: 32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种异步SRAM控制器及调试方法,属于集成电路技术领域。所述异步SRAM控制器包括主机模块、从机读模块、读完成模块和写完成模块;首先主机模块接收外部环境对SRAM控制器的读请求,经过信息交互将读请求发送给从机读模块;所述从机读模块对读请求进行响应,对位线进行预充电,并将读请求发送给读完成模块;接着所述读完成模块接收来所述自从机读模块的读请求,位线连接到vdd上,并将反馈信号发送给所述从机读模块;然后所述主机模块接收外部环境对SRAM控制器的写请求,与写完成模块进行信息交互,并将写请求发送给写完成模块;所述写完成模块对SRAM控制器进行写操作,并将完成结果反馈给所述主机模块。
搜索关键词: 机读模块 读请求 主机模块 外部环境 信息交互 异步SRAM 控制器 写请求 集成电路技术 反馈信号 结果反馈 模块接收 对位线 写操作 预充电 位线 调试 响应
【主权项】:
1.一种异步SRAM控制器,其特征在于,包括主机模块、从机读模块、读完成模块和写完成模块;/n所述主机模块接收外部环境的读、写请求,控制所述从机读模块和所述写完成模块生成写使能;/n所述从机读模块响应来自所述主机模块的读请求,对位线进行预充电,并将该读请求发送至所述读完成模块;/n所述读完成模块传递单字的每一位数据,并显示所述从机读模块完成了预充电和读操作;/n所述写完成模块传递单字的每一位数据,并显示所述从机读模块完成了相应的读操作,所述主机模块中的写使能信号使能,完成写操作,当存放在存储器单元中的数据与所述写完成模块中数据接口D0和D1的端口数值相同,并将写完成信号发送给主机模块。/n
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