[发明专利]存储器阵列和形成集成式组合件的方法

摘要

本申请涉及存储器阵列和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠的存储器阵列。所述字线层级包含具有末端的导电字线材料。电荷阻挡材料沿着所述导电字线材料的所述末端并且具有第一竖直面。所述绝缘层级具有含第二竖直面的末端。所述第二竖直面相对于所述第一竖直面侧向偏移。电荷捕集材料沿着所述第一竖直面，并且部分地沿着所述第二竖直面延伸。所述电荷捕集材料被配置成通过间隙彼此竖直间隔开的段。电荷隧穿材料沿着所述电荷捕集材料的所述段延伸。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸，并且通过所述电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。所述沟道材料延伸到所述间隙中。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。