[发明专利]发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201911015317.1 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110729387B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 周弘毅;李俊贤;吕奇孟;李健;王锐 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法，该发光二极管芯片包括：芯片主体；设于芯片主体上的电极层；设于电极层上的钝化保护层；以及熔合保护层，熔合保护层位于电极层与钝化保护层之间，用于将钝化保护层与电极层进行隔离。以此能够改善现有技术中的发光二极管容易发生金属迁移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n芯片主体；/n设于所述芯片主体上的电极层；/n设于所述电极层上的钝化保护层；/n以及熔合保护层，所述熔合保护层位于所述电极层与所述钝化保护层之间，用于将所述钝化保护层与所述电极层进行隔离。/n
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