[发明专利]传感器及用于形成传感器的方法有效
申请号: | 201911036102.8 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN111115554B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 郑钧文;赖飞龙;张贵松;蔡尚颖 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一些实施例中,提供一种传感器。所述传感器包括:微机电系统(MEMS)衬底,设置在集成芯片(IC)之上,其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分,且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上,其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分,且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中,传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分,虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。 | ||
搜索关键词: | 传感器 用于 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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