[发明专利]射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备有效
| 申请号： | 201911057312.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110752135B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵晓丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/248 | 分类号： | H01J37/248;H01J37/305 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备，该方法包括以下步骤：S1，获取预先设置的最大射频偏压值和与之对应的上射频电源与偏压射频电源输出射频波形的初始的相位差；S2，使偏压射频电源基于最大射频偏压值和初始的相位差输出射频偏压；S3，使相位差增加第一预设调整量；S4，获取偏压射频电源的射频偏压值，将该射频偏压值与最大射频偏压值进行比较；若该射频偏压值大于最大射频偏压值，则进行步骤S5；若该射频偏压值等于最大射频偏压值，则进行步骤S6；S5，使最大偏压值等于该射频偏压值，返回步骤S3；S6，保持相位差不变。通过本发明，实现了等离子体刻蚀速率的最大化。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 偏压 调节 方法 装置 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
1.一种射频偏压调节方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/nS1，获取预先设置的最大射频偏压值和与之对应的上射频电源与偏压射频电源输出射频波形的初始的相位差；/nS2，使所述偏压射频电源基于所述最大射频偏压值和初始的所述相位差输出射频偏压；/nS3，使所述相位差增加第一预设调整量；/nS4，获取所述偏压射频电源的射频偏压值，将所述射频偏压值与所述最大射频偏压值进行比较；若所述射频偏压值大于所述最大射频偏压值，则进行步骤S5；若所述射频偏压值等于所述最大射频偏压值，则进行步骤S6；若所述射频偏压值小于所述最大射频偏压值，则进行步骤S7；/nS5，使所述最大射频偏压值等于该射频偏压值，返回步骤S3；/nS6，保持所述相位差不变；/nS7，使所述相位差减少第二预设调整量；/nS8，获取所述偏压射频电源的所述射频偏压值，将所述射频偏压值与所述最大射频偏压值进行比较；若所述射频偏压值大于所述最大射频偏压值，则进行步骤S9；若所述射频偏压值小于所述最大射频偏压值，则返回步骤S3；若所述射频偏压值等于所述最大射频偏压值，则进行步骤S6；/nS9，使所述最大射频偏压值等于该射频偏压值，返回步骤S7。/n
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