[发明专利]一种巨磁电阻薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911131603.4 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN110808331A 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 赵明;凡广生;李领川;孙学习;刘艳丽 申请(专利权)人: 郑州工程技术学院
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10;C22C19/03;C22C22/00;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 王志新
地址: 450000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种巨磁电阻薄膜,该巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的:提供玻璃基片;利用磁控溅射法在玻璃基片上镀敷MgO层;利用磁控溅射法在MgO层上镀敷第一NixFe100‑x层,其中,70<x<80;利用磁控溅射法在第一NixFe100‑x层上镀敷FexMn100‑x层,其中,10<x<15;利用磁控溅射法在FexMn100‑x层上镀敷第二NixFe100‑x层,其中,80<x<90;利用磁控溅射法在第二NixFe100‑x层上镀敷NixMn100‑x层,其中,20<x<30;利用磁控溅射法在NixMn100‑x层上镀敷La0.7(Ba0.3‑xCax)MnO3,其中,0.02<x<0.04。本发明的薄膜既能够具有显著磁阻效应,又能够保证薄膜具有比较令人满意的磁导率。
搜索关键词: 一种 磁电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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