[发明专利]电容阵列及其制备方法和半导体存储结构

摘要

本申请涉及一种电容阵列制备方法、电容阵列和半导体存储结构。其中，制备方法包括：在衬底上形成牺牲层和覆盖牺牲层的格架结构层；刻蚀格架结构层和牺牲层，形成暴露出衬底的电容孔阵列；在电容孔的内壁形成下电极层；刻蚀格架结构层形成开口，通过开口去除牺牲层，并形成切割槽，切割槽将电容孔阵列切割为至少两个子区域并切断各子区域之间的格架结构层的连接；在电容孔内形成电容介质层和上电极层，上电极层通过电容介质层与下电极层隔离。通过形成切割槽，将格架结构层切割为多个小区域，避免电容孔形变，由此提高器件的电性性能。