[发明专利]垂直晶闸管在审
| 申请号： | 201911319805.1 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111354781A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳尔;L·让 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及垂直晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶闸管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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