[发明专利]掩膜板、拼接曝光方法及基板有效
| 申请号： | 201911366617.4 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111025842B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张振宇;顾维杰;马晓飞;陈亚坤 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F7/22;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 樊春燕 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掩膜板、拼接曝光方法及基板，包括：第一掩膜板，具有第一遮光区，第一遮光区包括在第一方向上相互连接的第一非拼接段及第一拼接段；第二掩膜板，具有第二遮光区，第二遮光区包括在第一方向上相互连接的第二非拼接段及第二拼接段；第一非拼接段与第二非拼接段在第二方向上的线宽相等，第一非拼接段在待曝光膜层所在平面形成的在先投影和第二非拼接段在待曝光膜层所在平面形成的在后投影在第二方向上错位；第一拼接段与第二拼接段至少一者的线宽大于第一非拼接段的线宽；第一方向和第二方向彼此垂直且平行于掩膜板。使在光刻胶层上形成的虚拟图案在各处的线宽相等，保证了最终形成的金属图案的线宽相等。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜板 拼接 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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