[发明专利]一种基于激光诱导等离子体改进中子产率的装置及方法在审
| 申请号： | 201911376274.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111050457A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 党宏涛;马欲飞;郑小海;刘福华 | 申请（专利权）人： | 西京学院 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H05H3/06;G21G4/02 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710123 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于激光诱导等离子体改进中子产率的装置及方法，包括沿中子产生方向依次设置有激光器控制器、激光器、光学聚焦系统、氘气气室、加速管、氚靶、中子探测器；激光控制器控制激光器，激光器输出脉冲激光，脉冲激光经过光学聚焦系统后缩小了激光束直径，聚焦后的激光入射到了氘气气室介质中，使氘气产生等离子体，氘气等离子体在加速管中加速，加速后轰击氚靶，中子探测器用于测量中子的产量。本发明会显著提高氘等离子体产生过程中的受控性和等离子体密度，最终提高种子源的产率，同时消除了高压电脉冲带来的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 诱导 等离子体 改进 中子 装置 方法 | ||
【主权项】：
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