[发明专利]一种刻蚀槽在审
| 申请号： | 201911389402.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111029289A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王建树;黄调调;董焕苗 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀槽，包括有槽体和硅片输送机构，硅片输送机构由若干个依次间隔连接的送料单元构成，每个送料单元包括有两个支撑板和位于两个支撑板之间的若干辊筒，支撑板包括有底座部分和挡板部分，辊筒的两端分别安装有活动块，挡板部分设有安装槽，活动块通过调节杆调节在安装槽内的高度，辊筒的一端穿过轴承后连接有齿轮，所有齿轮通过与齿轮配合的链条联动，链条由驱动机构驱动转动。本发明的刻蚀槽，可以实现硅片的平稳输送，在线实施监测硅片运行过程，发现刻蚀槽变形导致的辊筒水平异常后可以及时在线调整辊筒状态，从而避免液面波动异常影响硅片刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江鸿禧能源股份有限公司，未经浙江鸿禧能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911389402.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
