[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201911395527.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130318B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 舒强;张迎春;王健;张冬平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供栅极心轴掩模图案和第一栅极掩模图案；消除第一栅极掩模图案中的间隙，使第一栅极掩模图案形成辅助掩模图案；组合栅极心轴掩模图案和辅助掩模图案，以形成目标掩膜图案；提供衬底，衬底上形成有栅极结构材料层；基于目标掩膜图案在栅极结构材料层上形成主心轴结构和伪心轴结构，主心轴结构对应栅极心轴掩模图案，伪心轴结构对应第一栅极掩模图案；在伪心轴结构的侧壁形成伪侧墙，在主心轴结构的侧壁形成主侧墙；以及在形成主侧墙和伪侧墙之后，去除主心轴结构、伪心轴结构和伪侧墙。所述半导体结构的形成方法减小刻蚀负载效应并改善CD均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
