[实用新型]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件有效
| 申请号： | 201920111376.8 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN209182628U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 赵东 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | G02F3/02 | 分类号： | G02F3/02 |
| 代理公司： | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人： | 汪彩彩;阳会用 |
| 地址： | 437100 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，属于全光通信系统技术领域。光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一。本实用新型具有能够降低光学双稳态的阈值等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 石墨烯层 光学双稳态器件 本实用新型 光存储器 全光开关 全光通信系统 光学双稳态 多层结构 上表面 下表面 应用 | ||
【主权项】：
1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构，且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)；所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体，所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。
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＜
＜1，其中，r为所述核壳结构的内半径，R为所述核壳结构的外半径，k为照射在所述核壳结构上的电磁波的波矢，
为临界核壳比。本发明相对于现有技术，可以在不改变结构参数的情况下，较为方便地通过调节外加磁场的强度来改变材料的电磁特性，从而实现对光学双稳态的调节，以得到更宽的双稳区间和较低的阈值；同时本发明还可以区分入射光的不同的偏振态。
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