[实用新型]一种太阳电池有效
| 申请号： | 201920234384.1 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209675316U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李华;靳玉鹏 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0288;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 11266 北京工信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 芦玲玲<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种太阳电池，包括：p型硅基底；自p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和若干第二n型掺杂区域，第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于第一n型掺杂区域的掺杂浓度，正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触；背面电极与所述p型硅基底接触。本实用新型提供的太阳电池,通过在n型掺杂层设置掺杂浓度较高的第二n型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二n型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，降低了金属电极和n型掺杂层接触的面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 掺杂 金属电极 正面电极 载流子 载流子复合 背面电极 基底接触 基底正面 减反射膜 接触区域 依次设置 电阻率 负电极 细栅线 钝化 基底 半导体 电池 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：p型硅基底；自所述p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自所述p型硅基底背面向外依次设置的背面钝化膜和背面电极；其中，/n所述n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和若干第二n型掺杂区域，所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度；/n所述正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触；/n所述背面电极与所述p型硅基底接触。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920234384.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种一次成型轻质PVT组件
- 下一篇：一种太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
