[实用新型]一种高效率高可靠度碳化硅MOS管有效
| 申请号： | 201920579863.7 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN210129499U | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 高玉翠;周文帝;李宏图 | 申请（专利权）人： | 南京普联微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/057 | 分类号： | H01L23/057;H01L23/467 |
| 代理公司： | 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344 | 代理人： | 潘好帅 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高效率高可靠度碳化硅MOS管，包括MOS管本体，MOS管本体上套设有外保框，外保框上布设有加固筋，外保框为左右端开口的方形盒状结构，材质为铝，外保框内设有滑条，滑条为方形条状结构，MOS管本体上设有滑槽，滑条滑入滑槽。外保框自身延展性强，不会脆化断裂，通过加固筋，增加整体外保框的抗炸裂强度，稳固外保框自身结构，因而在MOS管本体中区的上端和下端出现鼓泡时，可有效防止MOS管本体中区塑封壳炸裂而伤害其附近的电子元件，同时外保框具有良好的导热性，可将MOS管本体上的热量引导至其全身而与外部空气换热，通过散热孔，利于MOS管本体的塑封壳直接与外部空气进行热交换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 可靠 碳化硅 mos | ||
【主权项】：
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- 本发明涉及整流桥技术领域，且公开了一种带有多个插件的插件整流桥堆，包括绝缘上壳，所述绝缘上壳底部的另一侧设有限位块，且限位块的一端延伸至绝缘下壳顶部一侧开设的卡槽内，所述绝缘上壳的底部与绝缘下壳的顶部设有硅芯片，且硅芯片正面的一侧设有插件，所述绝缘下壳一侧的顶部设有十字螺栓，所述绝缘上壳底部的一侧设有密封圈，所述绝缘上壳底部的一侧设有限位套，所述绝缘上壳正面的中部开设有通孔。该带有多个插件的插件整流桥堆，通过螺纹套和防尘网之间的配合，便于更好的将整流桥内部的热量散去并起到防尘的效果，从而解决了外部的灰尘无法进入整流桥的内部并能有效的将整流桥内部产生的热量散去，提高了整流桥的防尘散热性。
- 一种二路一体式户外形光伏防反二极管模块-201821452305.6
- 卢博朗;卢博宇 - 浙江柳晶整流器有限公司
- 2018-09-06 - 2019-05-14 - H01L23/057
- 本实用新型公开了一种二路一体式户外形光伏防反二极管模块，包括防反二极管主体、散热器、硅胶垫、凹槽、固定孔、卡槽、紧固螺母、螺栓、引出线、接线凸端头、接线凹端头和螺钉，所述防反二极管主体下端设置有散热器，通过硅胶垫的设置，便于将防反二极管主体工作的热量传递到散热器上，从而使防反二极管主体温度得到降低；本实用新型散热器外端均匀开设有散热槽，通过散热槽的凹槽结构设置，有效的增加了散热面积，加快了工作热量的散发，从而有效的保护防反二极管主体的工作；本实用新型通过接线凸端头和接线凹端头的凹凸结构设置，使得接线凸端头和接线凹端头凹凸相对应，插头插接时具有防水效果，从而保证了模块的端头连接防水性。
- 一种氮化铝陶瓷管壳-201821357252.X
- 王宁;张浩;崔嵩;刘阿敏;袁小意;高磊;黄志刚;郭军;周波 - 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 2018-08-22 - 2019-04-12 - H01L23/057
- 本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷管壳，采用氮化铝陶瓷基板，将器件产生的热量及时地通过管壳传递到外部环境，同时在氮化铝陶瓷基板的表面覆盖金属薄膜层，实现高频信号的传输，由于薄膜金属化布线精度高，既可以实现垂直互联又可以实现高频高密度信号传输的要求，同时氮化铝多层陶瓷结合薄膜工艺解决了金属材料方阻较大，在高频下会造成信号传输损耗大、信号延迟的缺陷。
- 集成电路封装装置-201820864945.1
- 余建 - 常州信息职业技术学院
- 2018-06-04 - 2019-02-22 - H01L23/057
- 本实用新型公开了一种集成电路封装装置，其包括底座组件及上盖，底座组件包括底座以及安装在底座上的活动结构和锁止结构，上盖于底座连接，底座上设置有导向槽，活动结构包括滑块、用于安装集成电路的收容件及弹性件，滑块与导向槽滑动连接，收容件与滑块转动连接，弹性件可伸缩地安装在滑块与导向槽的槽壁之间，收容件上设置有卡合部，锁止结构上设置有卡合槽，压缩弹性件滑动滑块并转动收容件，能够使得卡合部与卡合槽相卡合。本实用新型提供的集成电路封装装置，推动并转动收容件便可实现对集成电路的固定作用，拆装方便，易于更换，节省了成本，操作简单、便捷，且散热效果好，便于推广使用。
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