[实用新型]碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 201921085193.X | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN210856410U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体材料长晶领域，涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：顶部开口的筒状坩埚，放置碳化硅原料；基座，一侧表面为单晶生长面；翻转板，翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处；第一驱动机构，使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本实用新型实施例通过设置供料机构，将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整，调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板，籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料，避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面，造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题，增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江博蓝特半导体科技股份有限公司，未经浙江博蓝特半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921085193.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双油面浮动轴承
- 下一篇：一种用于喷射电沉积的喷嘴
