[实用新型]一种新型底发射垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201922210410.X | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN210074422U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括顺序形成在衬底基板表面的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和上金属电极层，衬底基板底面形成有向表面延伸具有内外深度差的出光孔，出光孔内层底部与下DBR间距为d且0<d<λ，λ为垂直腔面发射激光器的激光出光波长，出光孔外层与下DBR相邻，出光孔的孔中心与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和上金属电极层的中心轴线重合，衬底基板底面和出光孔内侧壁形成有欧姆接触的下金属电极层，下金属电极层通过出光孔外层与下DBR形成欧姆接触，出光孔内层底表面形成有与出光孔外层下金属电极层邻接的全反射层。本申请能够使得任意波长的激光均可采用该底发射结构。 | ||
| 搜索关键词： | 出光孔 衬底基板 下金属电极 垂直腔面发射激光器 上金属电极 氧化限制层 欧姆接触 源区域 底面 内层 激光 中心轴线重合 本实用新型 表面形成 表面延伸 共轴设置 全反射层 顺序形成 发射 光波长 孔中心 内侧壁 深度差 波长 邻接 有向 申请 | ||
【主权项】：
1.一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括衬底基板，所述衬底基板表面形成有高反射率的下DBR，所述下DBR表面形成有有源区域，所述有源区域表面形成有氧化限制层，所述氧化限制层表面形成有高反射率的上DBR，所述上DBR表面形成有欧姆接触的上金属电极层，其特征在于，所述衬底基板底面形成有向衬底基板表面延伸具有内外深度差的出光孔，所述出光孔的内层底部与下DBR的间距为d且0<d<λ，所述λ为垂直腔面发射激光器的激光出光波长，所述出光孔的外层与下DBR相邻，所述出光孔的孔中心位于衬底基板上方并与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和金属上电极层的中心轴线重合，所述衬底基板底面和出光孔内侧壁形成有欧姆接触的下金属电极层，且所述下金属电极层通过出光孔外层与下DBR形成欧姆接触，所述出光孔的内层底表面形成有与出光孔外层下金属电极层邻接的全反射层。/n
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- 2018-12-29 - 2019-12-10 - H01S5/183
- 本实用新型提供一种延长腔面光源VCSEL及光纤通信系统，其中，延长腔面光源VCSEL包括：‑N面电极、衬底层、外延层、P面电极；P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，上DBR结构与下DBR结构之间形成延长腔面光源VCSEL的谐振腔，上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，下DBR结构与外延层之间还设置有第二介质薄膜。本实用新型通过介质薄膜增加半导体激光器谐振腔腔长，进而改变激光器的模式，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。
- 基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统-201920667415.2
- 王俊;刘恒;谭少阳 - 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 2019-05-10 - 2019-12-10 - H01S5/183
- 本实用新型提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其包括：VCSEL激光器以及MEMS微镜；VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置。正面电极为多个，多个正面电极以阵列形式排布于外延层上，且多个正面电极通过金属层相连接，MEMS微镜位于VCSEL激光器的出射光路上。MEMS微镜包括：反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构，反射镜具有第一转轴以及第二转轴，第一转轴与第二转轴相垂直。本实用新型通过MEMS微镜将VCSEL激光器发射的光线进行反射，快速地以点阵的方式投射到物体上，实现物体的成像，在避免了设置密集的激光器点阵的同时，提升了激光扫描的密度和成像精度。
- 基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统-201920667935.3
- 王俊;刘恒;谭少阳 - 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 2019-05-10 - 2019-12-10 - H01S5/183
- 本实用新型提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统，其包括：单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜；单发光点VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置，MEMS微镜位于单发光点VCSEL激光器的出射光路上，MEMS微镜包括：反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构，反射镜具有第一转轴以及第二转轴，第一转轴与第二转轴相垂直。本实用新型通过MEMS微镜将单发光点VCSEL激光器发射的光线进行反射，快速地以点阵的方式投射到物体上，实现物体的成像，其避免了设置密集的激光器点阵。
- 表面发射激光器和光学干涉层析成像装置-201510393621.5
- 长友靖浩 - 佳能株式会社
- 2015-07-07 - 2019-12-06 - H01S5/183
- 本公开涉及表面发射激光器和光学干涉层析成像装置。为了提供能够改善波长调谐效率的波长可调表面发射激光器，提供了一种表面发射激光器，包括：第一反射镜；包括活性层的半导体空腔；和第二反射镜，第一反射镜、半导体空腔和第二反射镜被以所述的顺序形成，在第一反射镜和半导体空腔之间形成的间隙部分，空腔长度是可调的，其中该表面发射激光器具有在所述间隙部分和所述半导体空腔之间形成的高反射率结构，并且满足表达式(λ/2)×m+λ/8<L<(λ/2)×m+3λ/8，其中L是半导体空腔的光学厚度，m是1或者更大的整数，并且λ是激光振荡的中心波长。
- 专利分类
