[发明专利]晶片支撑台有效
| 申请号： | 201980002640.7 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110709983B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 海野丰;本山修一郎 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;王莉莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供陶瓷加热器(10)，其具备：在上表面具有载置晶片(W)的晶片载置面(22)的陶瓷基板(10)；和埋设于陶瓷基板(10)的内部的加热电极(26)。陶瓷基板(20)具有芯部(20a)和设于芯部(20a)的表面的表层部(20b)。表层部(20b)的体积电阻率比芯部(20a)的体积电阻率高，芯部(20a)的导热率比表层部(20b)的导热率高。表层部(20b)设于芯部(20a)的侧面(20a2)和芯部(20a)的上表面(20a1)中的至少未由晶片(W)覆盖的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种晶片支撑台，具备：/n陶瓷基板，其在上表面具有载置晶片的晶片载置部；和/n加热电极，其埋设于上述陶瓷基板的内部，/n上述晶片支撑台的特征在于，/n上述陶瓷基板具有芯部和设于上述芯部的表面的表层部，/n上述表层部的体积电阻率比上述芯部的体积电阻率高，/n上述芯部的导热率比上述表层部的导热率高，/n上述表层部设于上述芯部的侧面和上述芯部的上表面中的至少未由上述晶片覆盖的区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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