[发明专利]面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶有效
| 申请号： | 201980071989.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113228208B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 谭金光;栉引了辅;青野雅广;渡边恭伸 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/16 | 分类号： | H01F10/16;H01F41/18;H10N50/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供具有2.00kOe以上的矫顽力Hc且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm |
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| 搜索关键词： | 磁化 多层 结构 偏置 磁阻 效应 元件 溅射 | ||
【主权项】：
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