[发明专利]基座组件、包括其的MOCVD装置及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法在审
申请号: | 201980086410.3 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113227451A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 崔成哲;赵广一;朴兵益;金南绪;张钟珍;徐东湜 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/18;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种基座组件及包括其的MOCVD装置,所述基座组件通过上基座和下基座的双层结构来减少支承面上的温度偏差。根据本发明的一实施例的基座组件包括:基座,具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面;以及下基座,支承所述上基座,所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。根据本发明的基座组件以及包括其的MOCVD装置,通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性,能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜,并使用通过MOCVD工艺生长的基板,能够在制作元件时获得高产率。 | ||
搜索关键词: | 基座 组件 包括 mocvd 装置 用于 引出 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的