[发明专利]一种三电极结构的湿度传感器芯片有效
| 申请号： | 202010011995.7 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112229878B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 尹海宏;赵晨媛;王志亮;宋长青;施天宇;印川 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/22;C23C14/04;C23C14/14 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种三电极结构的湿度传感器芯片，该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU；湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极；湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构；第一电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极构成电容器结构，湿度敏感材料、衬底为电容器的复合介电层；第二电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极也构成电容器结构，湿度敏感材料、衬底为电容器的介电层；第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻（湿敏电阻）结构，湿度敏感材料作为湿度敏感电阻（湿敏电阻）的湿度敏感材料；所述衬底是具备压电效应的晶体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 结构 湿度 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
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