[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 202010098360.5 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111584422B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | O·霍尔菲尔德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置包括:包括电介质绝缘层(110)以及布置在所述电介质绝缘层(110)的第一侧上的至少第一金属化层(111)的半导体衬底(10),其中,所述第一金属化层(111)包括至少两个区段,每个区段通过凹陷(14)与相邻区段隔开;布置在所述第一金属化层(111)的所述区段之一上的半导体主体(20);以及布置在所述半导体主体(20)的第一侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的相应区段的最近边缘之间的至少一个凹痕(30),其中,所述第一侧(L1、L2、B1、B2)与所述第一金属化层(111)的所述区段的最近边缘之间的距离(d1、d2)处于0.5mm和5mm之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造