[发明专利]存储器的阵列共源极及其形成方法有效
| 申请号： | 202010242405.1 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111403400B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 范光龙;陈金星;刘丽君;陈广甸 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种存储器的阵列共源极及其形成方法，所述形成方法本发明的存储器的阵列共源极的形成方法，由于栅极隔槽中形成的阵列共源极包括第一部分和位于第一部分两侧的第二部分，且所述第一部分的宽度大于第二部分的宽度，当后续在堆叠结构和阵列共源极上的介质层中形成与阵列共源极的第一部分连接的金属连接结构时，即使由于光刻工艺的偏差、套刻误差或者堆叠结构的变形等因素造成介质层中形成的开口的位置产生一些偏差时，开口中形成的金属连接结构只会与阵列共源极连接，金属连接结构不会与顶层控制栅(顶层选择栅)连接并且两者之间的绝缘层厚度不会变薄，因而防止金属连接结构(或者阵列共源极)与顶层控制栅(顶层选择栅)之间产生漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 共源极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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