[发明专利]一种石墨烯半导体制备装置及方法在审
| 申请号： | 202010378114.5 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111410191A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吕尊华;李继森;司崇殿 | 申请（专利权）人： | 山东华达新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 刘玉涵 |
| 地址： | 274900 山东省菏泽市巨野*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯半导体制备装置及方法，一种石墨烯半导体制备方法，包括以下步骤：I、提供SiC衬底，利用氢气刻蚀；II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温；III、在超高真空的环境下，形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜；IV：形成石墨烯半导体复合材料。一种石墨烯半导体制备装置，包括：氢气刻蚀模块；C原子自组装模块；同质外延成长模块；反应合成模块。本发明不仅可以获得大面积、高质量的石墨烯，而且所获得的石墨烯具有较好的均一性，且与当前的集成电路技术有很好的兼容性；同时利用了半导体材料的优点与石墨烯的特性，实现了石墨烯的制备及其与半导体材料复合同时进行，具有广泛的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 半导体 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华达新材料有限公司，未经山东华达新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010378114.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种立式数控车削中心
- 下一篇：一种适用于粉料输送系统的防堵节能的系统及方法
- 同类专利
- 一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法及石墨烯阵列-202210810573.5
- 丁利苹;曾佳豪;苏莹;李兰;尉国栋 - 陕西科技大学
- 2022-07-11 - 2023-10-13 - C01B32/188
- 本发明提供一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法，包括：步骤1，在碳化硅泡沫表面涂覆B
- 一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜-202110202823.2
- 张翼;靳少恩;王灿 - 南京大学
- 2021-02-23 - 2023-09-22 - C01B32/188
- 本发明公开了一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜，属于二维材料制备领域。方法包括在超高真空条件下，在碳化硅晶片上，通过控制所述碳化硅晶片温度热解碳化硅，再在氮等离子体气氛下热解碳化硅生长石墨烯薄膜的步骤。采用本发明中氮等离子体辅助的制备方法，能够精确控制得到大面积单层或双层石墨烯，所得的单层或双层石墨烯层数精准，无裸露空洞或多层岛的出现，为二维材料制备领域提供了一种层数精确可控的大面积平整石墨烯薄膜的生长技术。
- 一种原位异质外延石墨烯包覆硅材料制备方法-202211164536.8
- 张新民;侯曲健;罗新波;陈孟;沈极;周苏州 - 苏州联鑫新材料技术有限公司
- 2022-09-23 - 2022-12-13 - C01B32/188
- 本发明公开了一种原位异质外延石墨烯包覆硅材料制备方法，包括以下步骤：除杂步骤：采用磁选设备对硅原料中的磁性杂质进行去除，并对硅原材料进行清洗后进行烘干；纳米化步骤：采用砂磨设备对硅原料进行纳米化处理，获得具有不同粒径尺寸硅颗粒；硅碳前驱体合成步骤：利用原位低温热解法对硅颗粒和氟碳自由基进行反应，通过氟碳自由基，与Si原位反应，进行可控制备Si@SiC复合核壳纳米颗粒；本发明采用原位异质外延石墨烯包覆硅材料，使得硅碳复合负极成本得到降低、并且使得碳包覆均匀较好，从而实现了硅碳负极材料的规模化量产及装车应用示范，对提升锂离子电池产业技术水平和市场竞争力具有重要的促进作用。
- 一种激光加热制备外延石墨烯的方法-201911222939.1
- 涂溶;章嵩;张联盟 - 气相科技（武汉）有限公司
- 2019-12-03 - 2022-09-30 - C01B32/188
- 本发明提供一种激光加热制备外延石墨烯的方法，具体步骤如下：1)将SiC基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体，向腔体内通入高纯Ar气，调节腔体内气体压强为1000～10000Pa；2)开启激光照射SiC基板，使基板表面温度以400～600℃/s的速率升温至1500～2000℃，继续照射1～5min；3)调节激光功率，使基板表面温度以100～200℃/s的速率降温至600℃，自然冷却至室温，在SiC基板表面得到外延石墨烯。本发明方法能够快速制备大生长面积外延石墨烯，制备的外延石墨烯具有高导电性，层数可控，晶体质量高的特点。
- 一种石墨烯薄膜的制备方法-201911030351.6
- 朱虹延;吴天如;陈吉;张超;时志远;于广辉 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2019-10-28 - 2022-09-02 - C01B32/188
- 本发明涉及二维材料制备技术领域，特别涉及一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：在碳化硅基底上设置催化剂得到反应样品；将所述反应样品加热至第一预设温度；将所述反应样品保温第一预设时长；其中，所述催化剂的熔点低于第一预设温度，所述催化剂的沸点高于第一预设温度；所述碳化硅基底包含的硅原子能够溶解在液态的所述催化剂中。本发明采用液态催化剂，以碳化硅为基底及固态碳源，通过高温催化碳化硅热分解，并在液态催化剂中溶解硅原子，剩余碳原子在液态催化剂与碳化硅的界面处重排，生成石墨烯。无需额外气态碳源，降低了制备过程中的工艺难度，且所得石墨烯无需转移，在电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
- 一种石墨烯生产加工用生长炉-202220453084.4
- 陈伟元;杨凯 - 深圳市赛姆烯金科技有限公司
- 2022-03-04 - 2022-08-02 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种石墨烯生产加工用生长炉，包括底座，所述底座的上端左部和上端右部之间共同固定连接有升降机构，所述升降机构的下端中部固定连接有炉盖，所述底座的上端前部固定连接有控制器，所述底座的下端四角均固定连接有支撑脚，所述底座的下端中部固定连接有制冷箱，且制冷箱的下端面与四个支撑脚的下端面齐平，所述制冷箱的前端下部穿插固定连接有制冷机构，所述底座的上端中部固定连接有炉体。本实用新型所述的一种石墨烯生产加工用生长炉，通过设置升降机构和移动机构，便于对炉体和炉盖进行固定或分离，提高了安全性，通过设置制冷机构，可对石墨烯进行快速冷却，缩短石墨烯材料的加工时间，适合广泛使用。
- 一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法-201911013432.5
- 惠欣;胡廷伟;杨东;马飞;马大衍;徐可为 - 西安交通大学
- 2019-10-23 - 2021-07-13 - C01B32/188
- 本发明公开一种大面积单层石墨烯的制备技术，利用插层技术对缓冲层进行In原子插层，原来只有缓冲层的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间并使缓冲层转变为石墨烯，一方面制备出单层大面积的石墨烯，另一方面降低了石墨烯的制备温度。原缓冲层与单层外延石墨烯共存的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间，缓冲层变为石墨烯并与原有的外延石墨烯完美相连，形成大面积的单层石墨烯。此外，插层形成的石墨烯与衬底的相互作用较弱，为分离态的石墨烯，达到了离化的效果。用这种技术不仅可以制备出大面积的石墨烯，还可以控制石墨烯的层厚，这对于相关微电子、超导以及应变工程等领域的应用提供重要的指导与借鉴价值。
- 一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法-201811042914.9
- 张学富;王浩敏;吴天如;于庆凯;谢晓明 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2018-09-04 - 2021-07-09 - C01B32/188
- 本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
- 一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置-202022273276.0
- 李帅;刘耀华;冯琳琳;秦莉 - 山东天岳先进科技股份有限公司
- 2020-10-13 - 2021-07-09 - C01B32/188
- 本实用新型提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，该装置包括坩埚和石墨板，坩埚的上方和下方均设置有电子束发射机构，电子束发射机构用于向坩埚发射电子束；石墨板设置在坩埚内部，且沿坩埚的轴向延伸，石墨板上开设有多个安装槽，安装槽用于放置碳化硅衬底。通过坩埚上方和下方设置的电子束发射机构，对坩埚进行加热，电子束冲击坩埚，使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上，坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量，由于瞬时高温，碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华，使其表面平整化，避免了氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面表面硅富集严重削减的问题，且多个安装槽的设置，可实现多个衬底同时生产石墨烯，提高了石墨烯生长的质量和数量。
- 一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法-201711407747.9
- 李赟;赵志飞;王翼 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2017-12-22 - 2021-06-08 - C01B32/188
- 本发明是一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法，包括如下工艺步骤：(1)选取碳化硅衬底；(2)对衬底进行原位氢气刻蚀，以在衬底表面刻蚀出平直台阶为标准；(3)用氩气将反应室压力充气至大气压；(4)将反应室内氩气排空；(5)关闭分子泵，向反应室通入氩气；(6)保持氩气流量和反应室压力不变，开启基座气浮旋转；(7)向反应室通入工艺气体辅助石墨烯碳化，并控制工艺气体和氩气流量比；(8)关闭加热，关闭工艺气体，将反应室压力充至大气压，开腔取片。本发明可实现层数可控石墨烯薄膜的生长，该方法重复性好，工艺简单易行兼容现有热分解工艺，适用于商业化高温炉，可用于批量生产，具有较好的推广价值。
- 一种异形多孔石墨烯及其制备方法和应用-201910603439.6
- 阎兴斌;苏利军 - 中国科学院兰州化学物理研究所
- 2019-07-05 - 2020-12-11 - C01B32/188
- 本发明涉及多孔碳材料技术领域，具体涉及一种异形多孔石墨烯及其制备方法和应用。本发明提供了一种异形多孔石墨烯，由石墨烯纳米片形成的结构单元组成，孔形貌为线型分布的蠕虫状纳米孔。本发明提供的异形多孔石墨烯具有蠕虫状超小纳米孔结构，且具有良好的导电性和较大的比表面积，在超级电容器电极材料、导电填充材料、生物传感材料和污水处理等方面具有较高的应用价值。
- 一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法-202010419518.4
- 不公告发明人 - 哈尔滨鹏谦科技有限公司
- 2020-05-18 - 2020-08-14 - C01B32/188
- 一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明解决了目前制备碳化硅石墨烯衬底外延材料时存在的缺陷问题。本发明提供了一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，包括碳化硅基层的生长，碳化硅‑石墨烯层的生长，利用衬底制备专用设备对碳化硅‑石墨烯复合层进行加工，获得碳化硅石墨烯外延晶体材料，切割后得到的碳化硅晶体再次生长石墨烯，再次经过加工后得到碳化硅石墨烯衬底外延材料，依次反复操作，即可获得工业化碳化硅石墨烯衬底外延材料。
- 一种石墨烯半导体制备装置及方法-202010378114.5
- 吕尊华;李继森;司崇殿 - 山东华达新材料有限公司
- 2020-05-07 - 2020-07-14 - C01B32/188
- 本发明公开了一种石墨烯半导体制备装置及方法，一种石墨烯半导体制备方法，包括以下步骤：I、提供SiC衬底，利用氢气刻蚀；II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温；III、在超高真空的环境下，形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜；IV：形成石墨烯半导体复合材料。一种石墨烯半导体制备装置，包括：氢气刻蚀模块；C原子自组装模块；同质外延成长模块；反应合成模块。本发明不仅可以获得大面积、高质量的石墨烯，而且所获得的石墨烯具有较好的均一性，且与当前的集成电路技术有很好的兼容性；同时利用了半导体材料的优点与石墨烯的特性，实现了石墨烯的制备及其与半导体材料复合同时进行，具有广泛的适用性。
- 一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法-201710399638.0
- 于法鹏;张晶;杨志远;孙丽;李妍璐;程秀凤;赵显 - 山东大学
- 2017-05-31 - 2020-04-21 - C01B32/188
- 本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法，该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯，有利于与石墨烯形成异质结，石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长，控制六方氮化硼溶液的浓度，确保石墨烯的成核密度，避免了传统CVD工艺在衬底上生长石墨烯非相关成核点的自重构，显著提高了石墨烯生长质量。
- 一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法-201710283437.4
- 卓其奇;张一萍 - 江苏科技大学
- 2017-04-26 - 2019-06-21 - C01B32/188
- 本发明提供了一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法。首先将氧化石墨烯水溶液悬涂到亲水化处理后的绝缘基底上，然后将两片石英片沿着绝缘基底边缘平行放置，中间空隙作为石墨烯生长区域，再将铜箔盖在石英片上方后一并放入到管式炉中。通入高纯氩气、氢气和甲烷，利用氧化石墨烯、铜箔和甲烷分别作为石墨烯生长的种子、催化剂和碳源，在绝缘基底上以氧化石墨烯为中心直接生长出石墨烯。本发明省去化学气相沉积法中聚合物悬涂、金属催化剂刻蚀和聚合物溶解等步骤，简化工艺，减少缺陷产生。同时该方法通过压力及气体流量的调节，可以在绝缘基底上可控生长出不同尺寸和不同形貌的石墨烯，满足不同领域的需求。
- 一种可拆卸碳化硅外延法制备石墨烯的装置-201721427992.1
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2019-01-22 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种可拆卸碳化硅外延法制备石墨烯的装置，所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板，所述金属托盘为内凹形；所述反应装置的顶部为可拆卸结构，设有出气口；所述装置底部设有进气口；所述进气口上通过螺纹连接有进气管，进气管上设置有多个扇形喷嘴；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该生产石墨烯的设备，结构简单，拆卸方便；特别是，在取出石墨烯成品的时候，凹形托盘可以避免石墨烯倾洒造成浪费。
- 一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法-201610769878.0
- 孙旭阳 - 孙旭阳
- 2016-08-31 - 2018-11-09 - C01B32/188
- 一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法，其技术特征在于制备方法包括如下步骤：在保护气体中将冷等离子体点燃，在该等离子体中放置有工作在非高温状态的有机溶剂，然后将气态或液态碳源引入点燃的冷等离子体中，上述气态碳源被活化裂解或液态碳源蒸发后活化裂解，裂解后的碳在上述有机溶剂中充分溶解；将过冷的目标薄膜浸入有机溶剂，使得有机溶剂中溶解的碳在过冷的目标薄膜上过饱和析出，在过冷的目标薄膜上形成石墨烯膜。本发明的一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法，所制备的石墨烯具有质量优良，成本低、效率高、污染少、能直接生长在目标薄膜上无需转移。
- 一种制备石墨烯的装置-201721424134.1
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2018-10-02 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种制备石墨烯的装置，其特征在于：所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部和顶部分别设有进气口和出气口；所述进气口上通过螺纹连接有进气管，进气管上设置有多个扇形喷嘴；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该生产石墨烯的装置结构简单，可旋转进气管使得反应气体均匀与反应物接触，使得生成的石墨烯的品质均一。
- 一种改进的碳化硅外延法制备石墨烯的装置-201721427995.5
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2018-10-02 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种改进的碳化硅外延法制备石墨烯的装置，所述反应装置形状为圆桶状，包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部设有一个可转动圆盘，所述圆盘上设有进气口，所述进气口通过旋转接头与进气管相接，所述进气管上设置有多个扇形喷嘴；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该生产石墨烯的装置结构简单，可旋转进气管使得反应气体均匀与反应物接触，使得生成的石墨烯的品质均一。
- 一种高效L型制备石墨烯装置-201721427997.4
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2018-10-02 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种高效L型制备石墨烯装置，所述反应装置呈L型，包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的右侧和顶部分别设有进气口和出气口；所述进气口上通过螺纹连接有进气管，进气管上设置有多个扇形喷嘴；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该装置结构简单，反应装置呈L型，提高了反应气体的利用率，提高了石墨烯的生产量。
- 一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置-201721411338.1
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-29 - 2018-09-11 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，包括了进气装置、反应装置和尾气处理装置，所述进气装置包括了进气管、气体流量控制器组件及控制阀门组件；所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管A、感应线圈A、高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的左侧设有抽气阀门，接入离所述反应装置近端的分子泵A和远端的机械泵；所述尾气处理装置包括气体流量控制器B、加热室、储气室。该装置生产出的石墨烯量多，达到工业生产的标准，同时对废气进行处理，不会对环境造成影响。
- 一种在6H/4H-SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合方式生长石墨烯的方法-201610975637.1
- 于法鹏;杨志远;马庆宇;孙丽;张晶;陈秀芳;徐现刚;程秀凤;赵显 - 山东大学;山东本源晶体科技有限公司
- 2016-11-07 - 2018-06-05 - C01B32/188
- 本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
- 一种金刚石微粉表面原位生长石墨烯层的制备方法-201711404107.2
- 黄浩;刘阳;胡婕;汪云飞;武越;史红博;李颖;温斌 - 燕山大学
- 2017-12-22 - 2018-06-01 - C01B32/188
- 一种金刚石微粉表面原位生长石墨烯层的制备方法，其主要是按每克金刚石加入10毫升去离子水和20毫升氢氟酸溶液的比例，将金刚石、去离子水和氢氟酸溶液置入塑料容器中，超声清洗60分钟，静置24小时，离心出金刚石微粉，多次清洗至中性，干燥后得到干净微粉；将所述干净的金刚石微粉放入放电等离子烧结系统，于1400～1600℃、真空环境下进行保温退火5～30分钟，冷却至室温出炉，制得表面原位生长石墨烯层的金刚石微粉。本发明工艺简单、制备时间短，能够在金刚石微粉表面原位生成厚度可控、结合紧密的石墨烯层，并且保留了金刚石的核心结构。
- 提高碳化硅热解石墨烯薄层数均匀性的方法-201711420154.6
- 赵志飞;李赟;王翼;李忠辉 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2017-12-25 - 2018-05-18 - C01B32/188
- 本发明涉及一种提高碳化硅热解石墨烯薄层数均匀性的方法，包括1）将碳化硅衬底置于CVD设备内的基座上；2）设置反应室压力，保护气体流量，系统升温至热解温度；3）保持压力和保护气体流量不变，热解制备石墨烯薄膜；4）采用线性缓变的方式缓慢降温，降温速率；降温同时采用线性缓变的方式通入线性减少的碳源辅助退火；5）关闭射频源，降温至室温，而后保护气体充填反应室至大气压，取出碳化硅热解石墨烯外延片。优点：1）减少温度骤降导致的衬底边缘与中心区域的温度偏差，提高了台阶台面和边缘解离的一致性；2）提高了退火过程中的碳原子重构的一致性，有助于制备层数一致的石墨烯薄膜。3）简单易行，具有较高的推广价值。
- 一种可持续制备石墨烯的装置-201721411340.9
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-29 - 2018-05-08 - C01B32/188
- 本实用新型公开了一种可持续制备石墨烯的装置，包括了进气装置、反应装置和尾气循环装置，所述进气装置包括了进气管、气体流量控制器组件及控制阀门组件；所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部和顶部分别设有进气口和出气口；所述反应装置的左侧设有抽气阀门；所述尾气循环装置包括了气体分离器A、气体分离器B和排气管。该装置多层结构使得石墨烯的产量高，达到工业生产的标准，同时对反应气体进行回收再利用，使得生成石墨烯的反应能持续进行，降低了生产成本，在一定程度上保护了环境。
- 一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法-201711474197.2
- 袁振洲;刘欣宇 - 北京华进创威电子有限公司
- 2017-12-29 - 2018-04-24 - C01B32/188
- 本发明公开了一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法，所述方法包括如下步骤1)将多片SiC衬底清洗后置于退火架上；2)采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的表面生长厚度均匀的石墨烯。本发明根据SiC热分解原理，通过退火工装结构设计与温场模拟，工装结构可同时放置多片碳化硅衬底，通过模拟设计工装尺寸与坩埚保温结构，使得衬底径向温度梯度小于0.1℃/mm，使得退火过程温度梯度小，可以同时在多片碳化硅获得厚度均匀的石墨烯。本发明工艺过程成本低、简单易操作，重复性好，适合工业化生产应用。
- 单层石墨烯的制备方法-201710953820.6
- 朱洋;邵蓉 - 南京旭羽睿材料科技有限公司
- 2017-10-13 - 2018-04-13 - C01B32/188
- 本发明公开了一种单层石墨烯的制备方法，将10—30份的石墨置于50°C—70°C的高温室内，并利用碾压机上压力为800N—1200N的碾压轮，反复碾压石墨15min—30min,直至石墨呈直径在0.03mm—0.06mm粉末状，本发明的有益效果是该发明一种单层石墨烯的制备方法将石墨氧化物，研磨成粉，不仅有利于石墨氧化的后面的反应，还除去了石墨氧化物内部的杂质，并通过硫酸亚铁溶液，将石墨氧化物进行还原，和后续过渡金属对石墨氧化物的还原，令石墨氧化物反应充分，制得的石墨烯纯度更高，导电、导热以及柔韧性都有所提高，且石墨烯膜经润滑后再与金属基底分离，石墨烯的完整度更高。
- 一种制备石墨烯的装置-201711044885.5
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2018-02-23 - C01B32/188
- 本发明公开了一种制备石墨烯的装置，其特征在于所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部和顶部分别设有进气口和出气口；所述进气口上通过螺纹连接有进气管，进气管上设置有多个扇形喷嘴；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该生产石墨烯的装置结构简单，可旋转进气管使得反应气体均匀与反应物接触，使得生成的石墨烯的品质均一。
- 一种高效的碳化硅外延法制备石墨烯的装置-201711047473.7
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2018-02-23 - C01B32/188
- 本发明公开了一种高效的碳化硅外延法制备石墨烯的装置，所述反应装置是管式反应装置，管式反应器有多个且结构相同，并通过管路依次串联，所述管式反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述管式反应器，其上下两端封闭，开设有进气口和出气口；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该装置结构简单，管式反应器串联，提高了反应气体的利用率，提高了石墨烯的生产量。
- 一种改进的碳化硅外延法制备石墨烯的装置-201711047474.1
- 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 - 成都格莱飞科技股份有限公司
- 2017-10-31 - 2018-01-26 - C01B32/188
- 本发明公开了一种改进的碳化硅外延法制备石墨烯的装置，所述反应装置形状为圆桶状，包括了设置在反应装置内壁上铜管、设置在铜管上的感应线圈、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部设有一个可转动圆盘，所述圆盘上设有进气口，所述进气口通过旋转接头与进气管相接，所述进气管上设置有多个扇形喷嘴；所述反应装置的左侧设有抽气阀门。该生产石墨烯的装置结构简单，可旋转进气管使得反应气体均匀与反应物接触，使得生成的石墨烯的品质均一。
- 专利分类
