[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、设置于衬底上的一叠层结构以及多个虚拟存储器串列结构。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。虚拟存储器串列结构设置于半导体装置的一阶梯区，且沿着第一方向穿过叠层结构，其中阶梯区包括一本体部，且本体部包括相邻的一第一区及一第二区。在第一区中，虚拟存储器串列结构所对应的导电层的数量是介于1～10；在第二区中，虚拟存储器串列结构所对应的导电层的数量是大于10。在一俯视图中，在一相同的单位面积中，第一区的虚拟存储器串列结构的面积是大于第二区的虚拟存储器串列结构的面积。