[发明专利]碳化硅晶体生长装置在审
申请号: | 202010443519.2 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111411401A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 袁福顺 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置,包括:生长炉,包括纵向设置的石英管,石英管内形成有用于碳化硅晶体生长的石英腔室,石英管为单层结构;外罩,套设于生长炉外部,外罩的内壁与石英管的外壁之间形成有排风管道,外罩的底端设有进风口,外罩的顶端设有出风口;排风系统,与出风口连接。实现以风冷的形式对石英管进行温度场调节及冷却,并降低设备成本并提高安全性。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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