[发明专利]一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202010516087.3 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111916521A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强;余粤锋;张志杰;林静 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/07 | 分类号： | H01L31/07;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au/Pt背电极、n掺杂Si基区、石墨烯层、银纳米颗粒阵列、n掺杂InGaP背反射层，n掺杂GaAs基区、石墨烯层以及Ag电极。本发明还公开了以上双结（Si/石墨烯）/（GaAs/石墨烯）肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结（Si/石墨烯）/（GaAs/石墨烯）肖特基结太阳电池，不仅制备工艺简单，器件生产成本较低，而且对环境污染较少，具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 界面 离激元 效应 gaas si 肖特基结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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