[发明专利]压电传感器及其制造方法、检测装置有效

专利信息
申请号: 202010603068.4 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111725384B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 牛菁;周婷婷;张方振;彭锦涛 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10N30/00 分类号: H10N30/00;H10N30/30;H10N30/01;H10N30/06;G01D5/14
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 王莉莉
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种压电传感器及其制造方法、检测装置,涉及传感技术领域。所述压电传感器包括:阵列基板;第一盖层,位于所述阵列基板上,所述第一盖层包括第一部分和第二部分,其中所述第一部分覆盖所述阵列基板,所述第二部分与所述阵列基板之间具有空腔且具有第一开口;第一电极,位于所述第一盖层的上方,且位于所述空腔的上方;压电薄膜,位于所述第一电极上;以及第二电极,位于所述压电薄膜上。
搜索关键词: 压电 传感器 及其 制造 方法 检测 装置
【主权项】:
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